Packaged insulated gate bipolar transistor (IGBT) device
貨物概要
本品は、パッケージ化した絶縁ゲートバイポーラトランジスター（IGBT）デバイス（寸法：48ミリメートル×94ミリメートル×29ミリメートル）であり、２つのIGBTチップ、２つのダイオード及びいくつかの電極を有する。当該ダイオードは、トランジスターをオフにした際に生じる逆電流により、トランジスターが損傷するのを防ぐために、トランジスターに対して逆平行に接続されている。これらは、アルミニウムの線で相互に接続され、絶縁を確保するためにシリコンゲルで満たされたプラスチック製のケーシングに入れられている。
本品の機能は、電流の増幅、発振、周波数変換及びスイッチングである。本品は、高出力条件下において電流及び電圧を制御し、高電流の処理能力を有する。定格電圧は、1,200ボルト、定格電流は150アンペアである。本品は、昇降機、エレベーター、電気鉄道、電気自動車、UPS（無停電電源）、ロボット及び太陽／風力発電機等の様々な用途に用いられる。