Modular system for physical vapour deposition of metal on semiconductor wafers
貨物概要
本品は、基本的には、磁電管、ターボ分子真空ポンプ、ロボット式操作装置及び加熱装置を取り付けた堆積モジュールから成り、全体を構成する。ウエハーが成長室に入ると、高純度の金属（例えば、アルミニウム）のターゲットディスクは、アルゴンのガス（ガス配給装置を媒介して成長室に取り入れられたもの）から産出されたイオンに衝撃させられる。これにより、金属の粒子をディスクの表面から除去し、ウエハー上に堆積させる（スパッタリング）。ターゲットディスクにガスを衝突させる作用は、衝撃するイオンの運動（物理的）力により、金属の中性の（電荷を持っていない）原子を、衝撃するイオンの運動（物理的）力によりターゲットから「移動」させる。これらの原子が「移動」すると、原子は、伝導性物質の薄膜を形成するためにウエハー上に堆積する。
この装置は、複雑な集積回路の生産に使用される半導体ウエハーの被覆に使用される。